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松下碲化鉍革新小型熱電轉(zhuǎn)換模塊制造方法成本降至1/3

2014-01-27 11:11:11 來源:元器件交易網(wǎng) 瀏覽次數(shù):0

松下開發(fā)出了碲化鉍(BiTe)基熱電轉(zhuǎn)換元件和模塊的新型制造方法,在實現(xiàn)元件和模塊小型化的同時,還降低了材料成本、增強了模塊強度,并且提高了生產(chǎn)效率。

在元件的小型化和降低材料成本方面,在發(fā)電性能相同的情況下,采用新方法制造的模塊的面積只有采用傳統(tǒng)方法制造的模塊的1/4,材料成本僅為其1/3。松下制造本部生產(chǎn)技術(shù)開發(fā)中心生產(chǎn)技術(shù)研究所熱電轉(zhuǎn)換項目主管技師前嶋聰介紹說,過去,熱電轉(zhuǎn)換模塊之所以僅在冷卻用途普及,是因為其價格高。而此次的技術(shù)有望解決這一課題,F(xiàn)在,采用新型制造方法的量產(chǎn)技術(shù)也已經(jīng)有了眉目,該公司的目標(biāo)是在2014財年內(nèi)使其投入實用。

  利用玻璃管抽取

新方法是利用細玻璃管抽取在600℃以上的高溫下熔化的BiTe,然后通過冷卻使其結(jié)晶(圖1)。玻璃管采用耐熱性強的高硼硅玻璃。結(jié)晶后,將晶體與玻璃管一同切割,利用貼片機安裝在電路板上制成模塊。

松下開發(fā)的BiTe基熱電發(fā)電模塊的新制造方法。利用直徑為0.8mm的細玻璃管吸取熔化的BiTe,冷卻后使其結(jié)晶。截斷后使用貼片機安裝在電路板上,將玻璃用作包裹元件的保護層。

這種制造方法具有許多優(yōu)勢,最大的優(yōu)點在于能夠在元件小型化的同時,提高材料的利用率。傳統(tǒng)方法要耗費大量時間使BiTe的熔融物冷卻并結(jié)晶,制成晶塊后還要切割成元件,切割元件時共需切割3次,因此,在推進元件小型化時,存在材料切割損耗太大的課題。而新方法只需切割1次,切割損耗很小,不僅可實現(xiàn)元件的小型化,材料成本還減少到了傳統(tǒng)方法的1/3。

與此同時,采用新方法后,模塊的強度和元件間的絕緣性也有所提升。這是因為吸取時使用的玻璃管直接成了包裹元件的保護層,改善了BiTe基熱電轉(zhuǎn)換模塊存在的小型化之后容易破碎的課題。并且通過了為應(yīng)用于車載用途而實施的振動試驗(前嶋)。

除此之外,新方法還具備可縮短制造流程、大幅提高生產(chǎn)效率的優(yōu)點。原因是冷卻是在玻璃細管內(nèi)進行,晶體生長的速度比過去的晶塊快40倍。玻璃管的直徑雖然只有0.8mm,但是在量產(chǎn)時,通過同時使用多根玻璃管,生產(chǎn)效率有望得到提高。據(jù)介紹,模塊的月產(chǎn)量有望達到1萬個。

  高溫區(qū)的發(fā)電性能也有所提高

新方法的優(yōu)點還具有其他的優(yōu)點,例如,有可能提高元件的發(fā)電性能。

松下通過第一性原理計算等方式,對BiTe基熱電轉(zhuǎn)換元件的發(fā)電性能進行了理論分析,圍繞制作尤其困難的nBi2Te3晶體進行研究,發(fā)現(xiàn)了利用該晶體發(fā)電的理想晶體結(jié)構(gòu),以及實現(xiàn)這種結(jié)構(gòu)的載流子密度等條件(圖2),而且還找到了最適合發(fā)電的晶體取向,以及如何利用新方法實現(xiàn)這種晶體取向。舉例來說,如果使吸取速度放慢,溫度梯度的方向?qū)⑴c玻璃管平行,就會形成有利于發(fā)電的、晶體a軸容易生長的晶體取向。

2:通過第一性原理計算分析n型晶體的結(jié)構(gòu)

松下通過第一性原理計算分析最適合發(fā)電的n型晶體構(gòu)造,結(jié)果發(fā)現(xiàn),使晶體的a軸與溫度梯度方向保持一致,能令性能指數(shù)提高到c軸與溫度梯度方向一致時的2.4倍。此次的方法有望實現(xiàn)與之相近的晶體取向。(圖:松下)

用新方法制造的BiTe基元件設(shè)想用于高溫側(cè)為100℃左右、溫度相對較低的用途,而擁有最佳晶體結(jié)構(gòu)的熱電元件則設(shè)想在幾百℃的高溫領(lǐng)域用途發(fā)揮威力。

  還瞄準(zhǔn)了車載和大型發(fā)電用途

松下準(zhǔn)備將這種開發(fā)技術(shù)廣泛用于各種溫度區(qū)域和用途(圖3)。在低溫區(qū)設(shè)想的用途包括利用體溫和環(huán)境的熱量構(gòu)筑無需電池的傳感器網(wǎng)絡(luò),以及利用消費類產(chǎn)品內(nèi)使用的半導(dǎo)體的熱能產(chǎn)生電能;在中高溫區(qū)的用途包括利用汽車發(fā)動機和尾氣的余熱以及工廠的廢熱來發(fā)電等。

3:設(shè)想了各種輸出功率和用途

松下為熱電元件以及新開發(fā)的技術(shù)設(shè)想的用途。在溫度低于150℃的低溫區(qū)可用于能量采集用途,在150℃以上的中高溫區(qū)設(shè)想的用途是大規(guī)模、大功率發(fā)電。(圖:松下)

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