即將在2015年6月于日本京都召開的VLSI技術(shù)國際會議將在其科技主題分類下發(fā)表鍺材料制作的7nm以下芯片論文。而即將發(fā)表的論文表示由于鍺在同等級下相比硅的載流子遷移率要高，芯片當中的部分材料如換成硅鍺化合物或完全由鍺替代的話，將會提升晶體管運行的速度。

此前人們認為新材料和新晶體管結(jié)構(gòu)有可能把摩爾定律延伸至1.5nm，因此IC制造商有非常大的可能性使芯片的制造工藝達到10nm，但是要進入7nm及以下將會面臨許多挑戰(zhàn)。最大的問題是至今沒有達到7nm，能不能達到5nm更是問題，至于3nm那是不可預(yù)知的。
（編譯：劉麥）