乾照光電近16億的VCSEL、高端LED芯片項(xiàng)目正式開工
2020-06-16 13:17:17 來源: 瀏覽次數(shù):0
據(jù)了解,乾照光電近16億元的VCSEL、高端LED芯片等半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目已經(jīng)正式開工,6月12日,乾照光電在廈門翔安區(qū)舉行了項(xiàng)目開工奠基儀式。
此前公告顯示,乾照光電于2018年11月宣布擬出資15.97億元建設(shè)VCSEL、高端LED芯片等半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目,由公司全資子公司廈門乾照半導(dǎo)體科技有限公司負(fù)責(zé)承辦。
項(xiàng)目投產(chǎn)后,預(yù)測(cè)達(dá)產(chǎn)后年銷售收入96,628.29 萬元,達(dá)產(chǎn)年利潤(rùn)總額23,690.91萬元,達(dá)產(chǎn)年投資利潤(rùn)率17.71%,投資利稅率18.63%,全部投資所得稅后財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率為21.72%;投資回收期6.01年。
乾照光電表示,砷化鎵/氮化鎵半導(dǎo)體器件主要依附于MOCVD進(jìn)行外延生產(chǎn),技術(shù)含量高;在軍用和民用無線通訊等領(lǐng)域需求旺盛,而相關(guān)國(guó)內(nèi)廠商稀缺,國(guó)家正大力支持該行業(yè)的迅速發(fā)展。
用砷化鎵制作的器件,具有高頻、高速和光電性能,主要用于通信產(chǎn)業(yè)。而第三代的材料氮化鎵屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料,以其寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移率、化學(xué)性能穩(wěn)定等性質(zhì)和強(qiáng)的抗輻照能力,在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。
據(jù)LEDinside了解,現(xiàn)階段,乾照光電主要有全色系LED外延片及芯片和三結(jié)砷化鎵太陽能電池外延片及芯片兩大類產(chǎn)品。
2019年,乾照光電在高端化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域通過投資、孵化、內(nèi)部研發(fā)等多種方式并舉,積極拓展激光芯片、VCSEL芯片、光通訊芯片等半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)機(jī)會(huì),F(xiàn)VCSEL芯片產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)小批量出貨,有望搶占3D感測(cè)的先機(jī)。此前乾照光電透露,公司目前的VCSEL芯片產(chǎn)品主要是根據(jù)客戶需求,按訂單生產(chǎn),正在小批量出貨,已具備大規(guī)模量產(chǎn)和出貨相關(guān)產(chǎn)品的能力。
在紅黃光LED外延片及芯片領(lǐng)域,乾照光電現(xiàn)有MOCVD共42個(gè)腔;在藍(lán)綠光LED外延片及芯片領(lǐng)域,公司擁有MOCVD共155個(gè)腔(折K465I機(jī)型)。目前均已導(dǎo)入4寸片生產(chǎn)工藝,產(chǎn)能在原有基礎(chǔ)上有所提升,且外延片良率均不低于98%。
MiniLED部分,乾照光電在紅光MiniLED的良率和可靠性上投入了大量研發(fā),目前MiniLED已實(shí)現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn),與各大終端客戶都在密切配合互動(dòng)中。并且,公司MiniLED產(chǎn)品已承接訂單,預(yù)計(jì)下半年需求量將有增長(zhǎng),目前相關(guān)產(chǎn)品備貨充足。
至于Micro LED領(lǐng)域,乾照光電主要配合終端顯示客戶進(jìn)行量產(chǎn)方案開發(fā),開發(fā)了尺寸20μm~30μm的芯片并可實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn),工藝優(yōu)化與性能提升持續(xù)推進(jìn)中。
未來,乾照光電將在鞏固紅黃光領(lǐng)域市場(chǎng)地位的同時(shí),不斷提升藍(lán)綠光領(lǐng)域的核心競(jìng)爭(zhēng)力。聚焦Mini/Micro LED顯示技術(shù)和紅外、植物照明等細(xì)分市場(chǎng),并將積極跨入二三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。