項(xiàng)目占地面積超1.4萬平方米，總建筑面積超3.4萬平方米，建成后，年產(chǎn)氮化鎵單晶襯底及外延片可達(dá)5萬片。第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，是我國(guó)具有“創(chuàng)新主動(dòng)權(quán)”的新興產(chǎn)業(yè)，是推動(dòng)5G、新能源等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵基礎(chǔ)。納維科技自成立以來，致力于第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心關(guān)鍵材料氮化鎵單晶襯底的產(chǎn)業(yè)化開發(fā)。

蘇州納維科技有限公司2007年由中科院蘇州納米所徐科研究員創(chuàng)立，致力于第三代半導(dǎo)體核心關(guān)鍵材料——氮化鎵（GaN）單晶襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。率先實(shí)現(xiàn)了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產(chǎn)、完成了4英寸產(chǎn)品的工程化技術(shù)開發(fā)、突破了6英寸的關(guān)鍵核心技術(shù)，成為國(guó)內(nèi)唯一一家能夠同時(shí)批量提供2英寸高導(dǎo)電、半絕緣氮化鎵單晶的企業(yè)。

園區(qū)形成以“設(shè)計(jì)-晶圓制造-封裝測(cè)試”為核心，以設(shè)備、原材料及服務(wù)產(chǎn)業(yè)為支撐的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈，在MEMS、化合物半導(dǎo)體、光通信等細(xì)分領(lǐng)域擁有較好的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，并持續(xù)加大第三代半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈和創(chuàng)新鏈布局。

截至目前，園區(qū)集聚全國(guó)80%的氮化鎵領(lǐng)域“國(guó)家級(jí)重點(diǎn)人才”，中科院納米所、材料科學(xué)姑蘇實(shí)驗(yàn)室等重大創(chuàng)新載體的加快建設(shè)，為建設(shè)世界一流高科技園區(qū)持續(xù)提供強(qiáng)大動(dòng)能。