夏普J(rèn)DI整并箭在弦上?望開啟日液晶新局面
2016-01-20 16:28:41 來源: 瀏覽次數(shù):0
由日本官民基金產(chǎn)業(yè)革新機(jī)構(gòu)(INCJ)主導(dǎo)的夏普(Sharp)與日本顯示器(Japan Display;JDI)整并計劃已箭在弦上,然具體的整并細(xì)節(jié)仍待相關(guān)單位檢討出共同共識后方可執(zhí)行。
日本媒體Diamond Online報導(dǎo)指出,目前的液晶產(chǎn)業(yè)已處于長期供給過剩狀態(tài)。一位過去長年伴隨著夏普液晶事業(yè)發(fā)展的退休人士更直言,若考慮今后的經(jīng)營風(fēng)險,夏普及JDI須毅然決然地切割4.5代以下的工廠。
綜觀目前的液晶產(chǎn)業(yè),自2016年起,眾多海外業(yè)者如大陸京東方(BOE)、臺灣群創(chuàng)及友達(dá)光電紛紛啟動第6代工廠,制造智能型手機(jī)等商品所須的低溫多晶硅(LTPS)液晶產(chǎn)品。
而夏普及JDI兩企業(yè)現(xiàn)行的生產(chǎn)體制中,4.5代以下的生產(chǎn)基地共計8處,預(yù)估市值約1,000億日圓(約8.4億美元)。停產(chǎn)及出售部分工廠雖是勢在必行,然其中負(fù)責(zé)生產(chǎn)車用液晶屏幕的產(chǎn)線又會涉及汽車業(yè)者所要求之質(zhì)量認(rèn)證程序,實在無法做出任何即刻性的處置。如此一來,兩家企業(yè)必須面對的便是減損沖擊。
多家媒體報導(dǎo),INCJ有意針對夏普分拆的液晶事業(yè)出資2,000億日圓,且請求銀行針對夏普債務(wù)做出1,500億日圓的債務(wù)股權(quán)轉(zhuǎn)換,但目前尚未定案。
在這次的整并計劃當(dāng)中,JDI乍看之下處于優(yōu)勢地位,但實際上JDI也尚未完成結(jié)構(gòu)改革,2015年4~9月最新一期的營收仍有3億日圓的虧損。
不僅如此,JDI名下還列舉生產(chǎn)蘋果(Apple)產(chǎn)品,設(shè)備投資用的美元債務(wù)。當(dāng)初部分債務(wù)的計算時間點為日圓貶值低點,因此只要匯率變動大,清償時皆可能出現(xiàn)高達(dá)數(shù)十億日圓的匯損,這些風(fēng)險都讓JDI在經(jīng)營上不敢掉以輕心。
夏普則是事業(yè)版圖持續(xù)縮編的同時,技術(shù)人才不斷流失,2015年計近4,000名員工求去。高層關(guān)系也是詭譎多變,社長高橋興三和副社長大西徹夫關(guān)系出現(xiàn)嫌隙外,幾個銀行體系空降的干部們更是頻頻斗爭,無不重?fù)粝钠找褮埰撇豢暗捏w質(zhì)。
然而,夏普及JDI分別致力開發(fā)的氧化銦鎵鋅(IGZO)與LTPS技術(shù)在市場上確實有舉足輕重的地位。兩家企業(yè)對第8代工廠的想法雖不同調(diào),但若能將IGZO與LTPS技術(shù)結(jié)合于新世代的有機(jī)EL面板上,將有機(jī)會為智能型手機(jī)市場開拓新版圖。INCJ目標(biāo)于2016年3月底前做出最終結(jié)論。這也是在整合議題紛擾之際,外界高度期待日本液晶產(chǎn)業(yè)能成就另一番新局面。
應(yīng)該知道的事:IGZO技術(shù)
非結(jié)晶氧化銦鎵鋅(amorphousIndium Gallium Zinc Oxide;a-IGZO)屬于一種薄膜晶體管技術(shù),目前主要用在液晶面板上,但也具備應(yīng)用于半導(dǎo)體制程中的潛力。
由于液晶面板領(lǐng)域競爭激烈,許多面板廠紛紛投入研發(fā)金屬氧化物半導(dǎo)體,強(qiáng)化IGZO技術(shù)。目前日本面板大廠夏普(Sharp)技術(shù)領(lǐng)先一步,三星電子(Samsung Electronics)、友達(dá)緊追在后,未來有機(jī)會成為平板顯示器產(chǎn)業(yè)制造的新標(biāo)準(zhǔn)。夏普亦供應(yīng)IGZO技術(shù)給南京中電熊貓,進(jìn)行技術(shù)合作,讓該企業(yè)2015年內(nèi)在南京工廠量產(chǎn)57英寸IGZO面板。
IGZO存在著一些本質(zhì)上的缺點,例如對光、水以及氧都相當(dāng)敏感,但其好處在于制程與目前大尺寸面板采用的非晶硅(amorphous silicon)液晶面板相同。夏普將IGZO結(jié)合高感度觸控技術(shù),提升面板產(chǎn)品的附加價值,除了可用于電視之外,也往醫(yī)療、商用、教育用電子廣告牌等B2B領(lǐng)域發(fā)展。
至于在半導(dǎo)體應(yīng)用方面,由于IGZO先天具備漏電流低的特性,因此,利用IGZO制成的晶體管,省電性能可遠(yuǎn)優(yōu)于使用傳統(tǒng)硅材料制作的晶體管。在半導(dǎo)體應(yīng)用方面的研發(fā),主要是由日本半導(dǎo)體能源研究所(Semiconductor Energy Laboratory;SEL)負(fù)責(zé)。
信息來源:DIGITIMES中文網(wǎng) 編輯:茍麗麗